三星宣布7nm LPP量產!基于EUV光刻技術、性能增加20%

小熊在線 馬甲 | 2018年10月18日
【小熊在線網 新聞報道】三星官方宣布,已經開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。 ......
【小熊在線網 新聞報道】三星官方宣布,已經開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。

據悉,三星的7nm LPP采用EUV光刻,機器采購自荷蘭ASML(阿斯麥),型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W),日產能1500片。

簡單來說,EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光硅片,而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長,并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來創建硅晶圓層成為可能,而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創建相同的晶片。也就是說,與非EUV工藝相比,三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%,為客戶能夠節省時間和成本。

三星透露,其從2000年左右就著手研究EUV技術了。

技術指標上,對比10nm FinFET,三星7nm LPP可實現面積能效(同樣復雜度為量綱)提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

三星透露,基于EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明了道路。產能方面,主要在韓國華城的S3工廠,2020年前會在開一條新產線。

目前已知,高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝,看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。

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